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题名: 霍尔效应中的副效应及其消除方法
其他题名: 霍尔效应中的副效应及其消除方法
作者: 刘昶丁; 柳纪虎
出版日期: 1987-03-02
刊名: 物理实验
期号: 1, 页码:1-3
中文摘要: 前言近年来霍尔效应在半导体材料测量中,有着广泛的应用.霍尔元件的主要用途:1.测量磁场;2.测量交、直流电路中的电流强度和功率;3.转换信号,能把直流电流转换成交流电流,对它进行调制,可放大直流或交流信号等;4.对各种物理量进行四则、乘方、开方运算.在确定纯度,材料的补偿度、外延异质材料的电学性质、高阻率材料导电类型的判断及新材料的研究等方面,却有它独特的作用.
关键词: 霍尔效应:5871 ; 消除方法:3989 ; 副效应:3634 ; 磁场方向:2612 ; 交流电流:2495 ; 半导体:2364 ; 载流子:2220 ; 主要用途:2107 ; 材料测量:2097 ; 霍尔元件:1996
作者部门: 兰州大学 ; 兰州大学
语种: 中文
IR记录号: CNKI:0007998
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/101754
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霍尔效应中的副效应及其消除方法.pdf(206KB)----限制开放 联系获取全文

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刘昶丁,柳纪虎. 霍尔效应中的副效应及其消除方法[J]. 物理实验,1987(1):1-3.
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