霍尔效应中的副效应及其消除方法
其他题名霍尔效应中的副效应及其消除方法
刘昶丁; 柳纪虎
1987-03-02
发表期刊物理实验
期号1页码:1-3
摘要前言近年来霍尔效应在半导体材料测量中,有着广泛的应用.霍尔元件的主要用途:1.测量磁场;2.测量交、直流电路中的电流强度和功率;3.转换信号,能把直流电流转换成交流电流,对它进行调制,可放大直流或交流信号等;4.对各种物理量进行四则、乘方、开方运算.在确定纯度,材料的补偿度、外延异质材料的电学性质、高阻率材料导电类型的判断及新材料的研究等方面,却有它独特的作用.
关键词霍尔效应:5871 消除方法:3989 副效应:3634 磁场方向:2612 交流电流:2495 半导体:2364 载流子:2220 主要用途:2107 材料测量:2097 霍尔元件:1996
作者部门兰州大学;
兰州大学
语种中文
IR记录号CNKI:0007998
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/101754
Collection物理科学与技术学院
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GB/T 7714
刘昶丁,柳纪虎. 霍尔效应中的副效应及其消除方法[J]. 物理实验,1987(1):1-3.
APA 刘昶丁,&柳纪虎.(1987).霍尔效应中的副效应及其消除方法.物理实验(1),1-3.
MLA 刘昶丁,et al."霍尔效应中的副效应及其消除方法".物理实验 .1(1987):1-3.
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