个人详细信息
贺德衍

贺德衍

教授
兰州大学 物理科学与技术学院

邮箱: hedy@lzu.edu.cn
座机: 0931-8912546
贺德衍,男,汉族,教授,教育部“跨世纪优秀人才培养计划”入选者。1982年兰州大学物理系半导体物理专业本科毕业;1985年兰州大学物理系固体物理专业硕士毕业;1995年日本东京工业大学大学院综合理工学研究科电子化学专业博士毕业。1996年在日本东京工业大学大学院从事博士后研究;1997年在加拿大Manitoba大学物理系做高级访问学者。从事电子薄膜材料及其器件、储锂材料及其器件的研究。主持完成了国家自然科学基金青年项目、国家自然科学基金面上项目(完成4项,目前在研1项)、国家自然科学基金对外交流与合作项目(2项)、教育部博士点基金项目(完成1项博导类课题,目前在研1项优先发展领域类课题)、教育部“高校青年教师奖”项目,教育部“优秀青年教师资助计划”项目等20余项。作为合作者,曾获甘肃省教学成果一等奖两次、二等奖一次;获甘肃省科技进步一等奖一次,二等奖两次,三等奖两次,获国家教委科技进步三等奖一次。共发表SCI论文180余篇,被SCI论文引用1320余次,H因子20(ISI Web of Knowledge数据库)。翻译出版《半导体材料物理基础》著作一部。曾获教育部高校青年教师奖、教育部全国高等学校优秀骨干教师奖、宝钢优秀教师奖、甘肃省优秀专家称号。目前兼任教育部高等学校物理学类专业教学指导委员会委员,中国物理学会半导体物理专业委员会委员、《半导体学报》编委等。
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研究成果

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[1] CHEN, GH,ZHANG, NP,HE, DY,et al. Study On The Electrical And Optical-properties Of A-si1-xsnx-h Films Prepared By Sputtering[J]. Proceedings Of The Society Of Photo-optical Instrumentation Engineers,1984,502:128-131.
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[2] CHEN, GH,ZHANG, FQ,ZHANG, NP,et al. Study On The Structural-properties Of A-si1-xsnx - H-films Prepared By Rf Sputtering[J]. Solar Energy Materials,1985,12(6):471-478.
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[3] HE, DY,ZHANG, FQ,CUI, JZ,et al. Interface Defects In Sputtered A-si-h/a-c-h Multilayers[J]. Physica Status Solidi B-basic Research,1987,142(1):K35-k37.
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[4] HE, DY,ZHANG, FQ,CHEN, W,et al. Insitu Electron-spin Resonance Measurements Of Thermally Induced Metastable Defects In Doped Hydrogenated Amorphous-silicon Carbon-films[C]. Journal Of Non-crystalline Solids.Amsterdam.1989,657-659.
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[5] 贺德衍,张仿清,柯宁,等. 掺硼a-sic:h_a-si:h异质结的硼扩散(英文)[J]. 固体电子学研究与进展,1989(4):473-474.
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[6] ZHANG, FQ,CHEN, GH,HE, DY. Hydrogen And Boron Concentrations In Doped Hydrogenated Amorphous Silicon-carbon Films Measured By Nuclear-reaction Analysis[J]. Applied Physics Letters,1989,54(20):1995-1996.
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[7] 张仿清,贺德衍,宋志忠,等. B掺杂a-sic:h_本征a-si:h异质结中的b扩散[J]. 物理学报,1990(12):1982-1988.
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[8] ZHANG, FQ,HE, DY,SONG, ZZ,et al. Boron-diffusion In Device-like B-doped A-sic-h/a-si-h Heterojunction[J]. Physica Status Solidi A-applied Research,1990,118(1):K17-k20.
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[9] HE, DY,ZHANG, FQ,CHEN, GH. A Direct Measurement Of Thermal-equilibrium Defects In Hydrogenated Amorphous Silicon-nitrogen Alloy-films[J]. Physica Status Solidi A-applied Research,1990,118(1):K39-k41.
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[10] HE, DY,ZHANG, FQ,CHEN, GH. Thermal Equilibration In Boron-doped Hydrogenated Amorphous Silicon-carbon Alloy-films[J]. Physica Status Solidi A-applied Research,1990,120(1):K49-k52.
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研究主题

Microstructure[12] 薄膜生长[9] 计算机模拟[9] 场电子发射[8] 薄膜[8] Composite materials[8] Lithium ion battery[7] ICP-CVD[6] Raman spectrum[6] Chemical synthesis[6] 相对密度[6] Nanostructures[6] Lithium-ion batteries[5] 粗糙度[5] Semiconductors[5]

成果统计

合作作者[TOP 5]

 

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