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微波等离子体CVD法在人造金刚石衬底上外延生长金刚石 期刊论文
人工晶体学报, 1992, 期号: 2, 页码: 184-188
Authors:  方莉俐;  张战;  李嘉;  马丽莹;  于鸿昌;  吴宝善
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人造金刚石  金刚石薄膜  微波等离子体CVD  外延生长  
一种新的半导体材料的器件结构:COS 期刊论文
物理, 2002, 期号: 11, 页码: 702-707
Authors:  阎志军;  王迅
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晶态氧化物  Mos晶体管  硅基集成  新材料  
定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 474-477+482
Authors:  王万录;  张振刚;  廖克俊;  吴彬;  张世斌;  廖梅勇;  Wang, Wanlu
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金刚石膜  压阻效应  外延生长  压阻因子  金刚石薄膜  单晶金刚石  晶粒间界  硼掺杂  p型  不锈钢片  Localized heteroepitaxial growth  p type diamond film  
计算机模拟在薄膜外延生长中的应用 期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 2006, 期号: 3, 页码: 89-95
Authors:  张佩峰;  郑小平;  贺德衍;  李廉
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Monte Carlo算法  计算机模拟  岛核  薄膜生长  粗糙度  相对密度  
绿色GaP-LED中NH↓3掺杂的动力学 期刊论文
发光学报, 1991, 期号: 4, 页码: 297-303
Authors:  张福甲;  王德明
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NH_3  E层  外延层  外延生长  动力学  吸收液  载流  当量浓度  外延起始温度  N掺杂  
薄膜外延生长及其岛核形成的计算机模拟 期刊论文
中国科学.G辑, 2004, 期号: 2, 页码: 131-140
Authors:  郑小平;  张佩峰;  贺德衍;  刘军;  马健泰
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MonteCarlo算法  计算机模拟  岛核  薄膜生长  粗糙度  相对密度  
直流等离子体CVD法在Si(100)衬底上局部定向核化及外延生长金刚石膜 期刊论文
半导体技术, 1992, 期号: 2, 页码: 59-60+63
Authors:  王万录;  廖克俊;  高锦英;  刘爱民
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金刚石膜生长:5972  定向核:5081  直流等离子体CVD:4137  外延生长:3779  定向生长:1657  预处理:1150  金刚石晶体:1065  正常条件:832  正常生长:787  反应气体:767  
金刚石膜压阻效应的研究 期刊论文
Chinese Science Bulletin-Chinese, 1994, 期号: 22, 页码: 2035-2037
Authors:  王万录;  X.Jiang;  C.P.Klages
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金刚石膜  压阻效应  应变  
SiC衬底GaN基材料MOCVD生长及HEMT器件研制 学位论文
硕士, 兰州: 兰州大学, 2015
Authors:  郭仕宽
Favorite  |    Submit date:2019/01/18
氮化镓  碳化硅衬底  氮化铝  氮化镓铝  金属有机化学气相沉积  高电子迁移率晶体管  
硅基锗PIN红外探测器的数值模拟研究 期刊论文
红外, 2009, 期号: 11, 页码: 35-39
Authors:  徐敏杰;  魏莹;  蔡雪原;  杨建红
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红外探测器  PIN  硅锗  暗电流  应变