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热丝辅助等离子体化学气相法生长c-BN薄膜 期刊论文
硅酸盐学报, 1994, 期号: 2, 页码: 6
Authors:  姬荣斌;  王万录;  廖克俊;  张斌
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立方氮化硼薄膜  射频等离子体  化学气相沉积法  生长条件  
GaAs(100)衬底上C↓(60)单晶膜的取向生长 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1997, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 481-485
Authors:  姚江宏;  邹云娟;  张兴旺;  陈光华
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单晶膜  取向生长  衬底温度  扫描电子显微镜  外延生长  生长条件  晶格匹配  温度梯度  晶格常数  沉积技术  
影响a-Si∶H_a-SiN_x∶H多层膜PPC效应的某些因素 期刊论文
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 1988, 期号: 1, 页码: 79-84
Authors:  王万录;  廖克俊
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a-Si:H/a-SiH_x:H 多层膜  PPC效应  内应力  
多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及其场电子发射 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 288-291
Authors:  陈光华;  蔡让岐;  宋雪梅;  贺德衍;  Chen, G.
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多孔硅  金刚石薄膜  场电子发射  Diamond protuberance array  Field electron emission  
立方氮化硼薄膜的生长特性与粘附性研究 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1998, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 871-875
Authors:  马锡英;  岳金顺;  贺德衍;  陈光华
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立方氮化硼薄膜  生长特性  粘附性  扫描电子显微镜  射频等离子体  红外吸收光谱  光电子能谱  过渡层  热丝  衬底材料  
LP─MOCVD生长InGaAs_GaAs应变超晶格 期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 1994, 期号: 3, 页码: 2
Authors:  崔敬忠;  陈光华;  张仿清;  甘润今;  杨树人;  刘宝林;  陈伯军;  刘式墉
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InGaAs/GaAs  应变超晶格  MOCVD生长  结构参数  卫星峰  X射线  摇摆曲线  生长条件  光电子  能带结构  
Optimization of GaAs (110) quantum well material growth technology by reflection high energy electron diffraction 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2007, 卷号: 56, 期号: 6, 页码: 3355-3359
Authors:  Liu, LS;  Liu, S;  Wang, WX;  Zhao, HM;  Liu, BL;  Jiang, ZW;  Wang, J;  Huang, QA;  Chen, H;  Zhou, JM...Liu, LS;  Liu, S;  Wang, WX;  Zhao, HM;  Liu, BL;  Jiang, ZW;  Wang, J;  Huang, QA;  Chen, H;  Zhou, JM;  Wang, WX (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing 100080, Peoples R China.
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reflection high energy electron diffraction  quantum well  molecular beam epitaxy  
III族氮化物低维纳米结构的可控制备及生长机理研究 学位论文
博士, 兰州: 兰州大学, 2012
Authors:  季旭
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III-V族氮化物纳米材料  VLS与VS生长机理  形核组装  催化生长  尺寸效应  
直流等离子体化学汽相沉积法合成的金刚石膜的内应力研究 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1992, 期号: 11, 页码: 1906-1912
Authors:  王万录;  高锦英;  廖克俊;  刘爱民
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金刚石膜  内应力  汽相沉积  衬底温度  等离子体化学  金刚石颗粒  张应力  压缩应力  直流  晶粒间界  
金刚石晶体包裹层对提高金刚石压缩强度的计算 期刊论文
人工晶体学报, 1996, 期号: 2, 页码: 5
Authors:  孙建伟;  张亚菲;  陈光华;  谢立平;  力虎林;  刘维民
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金刚石  包裹体  压缩强度