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八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 1063-1068
Authors:  路飞平;  彭应全;  宋长安;  邢宏伟;  李训栓;  杨青森;  Lu, F.
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八羟基喹啉镉  薄膜  折射率  消光系数  8-hydroxylquinline cadmium  Extinction index  
衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2369-2373
Authors:  陈浩;  邓金祥;  陈光华;  刘钧锴;  田凌;  Chen, H.
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立方氮化硼  射频溅射  衬底温度  压应力  Radio frequency sputter  Substrate temperature  
射频溅射法制备纳米SiC薄膜的电学和光学性质研究 会议论文
2006年材料科学与工程新进展——“2006北京国际材料周”论文集, 北京, 2006-09
Authors:  张军;  林洪峰;  付玉军;  叶凡;  谢二庆;  邵乐喜
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射频溅射  纳米SiC薄膜  电导  透过谱  
薄膜生长的计算机模拟 期刊论文
材料研究学报, 2005, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 170-178
Authors:  郑小平;  张佩峰;  范多旺;  贺德衍;  Zheng, X.
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材料科学基础学科  薄膜生长  计算机模拟  粗糙度  Nucleation rate  Optimum growth temperature  Substrate temperature  
Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2780-2785
Authors:  Lin, HF;  Xie, EQ(谢二庆);  Ma, ZW;  Zhang, J;  Peng, AH;  He, DY(贺德衍);  Xie, EQ (reprint author), Lanzhou Univ, Sch Phys Sci & Technol, Lanzhou 730000, Peoples R China.
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RF sputtering  SiC films  structure  surface morphology  field emission  
射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性 期刊论文
中国科学.G辑, 2007, 期号: 2, 页码: 218-222
Authors:  朋兴平;  王志光;  宋银;  季涛;  臧航;  杨映虎;  金运范
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ZnO薄膜  X射线衍射谱  光致发光谱  衬底温度  射频反应溅射  
计算机模拟在薄膜外延生长中的应用 期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 2006, 期号: 3, 页码: 89-95
Authors:  张佩峰;  郑小平;  贺德衍;  李廉
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Monte Carlo算法  计算机模拟  岛核  薄膜生长  粗糙度  相对密度  
衬底温度对射频射a-Ge:H薄膜光电性能的影响 期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 1993, 期号: 4, 页码: 92-95
Authors:  李绥汉;  张仿清
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射频溅射  衬底温度  晶化  
Optimization of GaAs (110) quantum well material growth technology by reflection high energy electron diffraction 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2007, 卷号: 56, 期号: 6, 页码: 3355-3359
Authors:  Liu, LS;  Liu, S;  Wang, WX;  Zhao, HM;  Liu, BL;  Jiang, ZW;  Wang, J;  Huang, QA;  Chen, H;  Zhou, JM...Liu, LS;  Liu, S;  Wang, WX;  Zhao, HM;  Liu, BL;  Jiang, ZW;  Wang, J;  Huang, QA;  Chen, H;  Zhou, JM;  Wang, WX (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing 100080, Peoples R China.
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reflection high energy electron diffraction  quantum well  molecular beam epitaxy  
GaAs(100)衬底上C↓(60)单晶膜的取向生长 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1997, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 481-485
Authors:  姚江宏;  邹云娟;  张兴旺;  陈光华
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单晶膜  取向生长  衬底温度  扫描电子显微镜  外延生长  生长条件  晶格匹配  温度梯度  晶格常数  沉积技术