兰州大学机构库

Browse/Search Results:  1-10 of 263 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
X射线双晶衍射研究LP-MOVPE生长的InGaAs_GaAs应变超晶格 期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 1996, 期号: 3, 页码: 4
Authors:  崔敬忠;  陈光华;  甘润今;  张仿清;  杨树人;  刘宝林;  陈佰军;  刘式墉
Favorite  |    Submit date:2015/04/27
气相外延生长  超晶格半导体  X射线衍射  
a-Si_H中杂质和缺陷态的电子统计理论 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1987, 期号: 4, 页码: 524-528
Authors:  陈光华;  彭应全;  陈继红
Adobe PDF(244Kb)  |  Favorite  |    Submit date:2015/04/27
a-Si:H  电子统计  杂质和缺陷  掺杂效率  轻掺杂  缺陷态  重掺杂  悬挂键密度  多能级  微观状态数  
LP-MOVPE生长InGaAs应变超晶格 期刊论文
吉林大学自然科学学报, 1994, 期号: 1, 页码: 4
Authors:  杨树人;  刘宝林;  陈伯军;  刘式墉;  崔敬忠;  陈光华
Adobe PDF(119Kb)  |  Favorite  |    Submit date:2015/04/27
LP-MOVPE  InGaAs  应变超晶格  
用紫外光电子能谱研究a-Si_(1-x)C_x_H的价带特性 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1986, 期号: 9, 页码: 1253-1258
Authors:  张仿清;  徐希翔;  陈光华;  蒋致诚;  陈正石;  齐尚奎
Adobe PDF(341Kb)  |  Favorite  |    Submit date:2015/04/27
价带  紫外光电子能谱  a-Si  自然氧化  溅蚀  悬键  电子能带  重掺杂  合金薄膜  原子键合  
LP-MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料 期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 1995, 期号: 1, 页码: 2
Authors:  崔敬忠;  甘润今;  陈光华;  张仿清;  杨树人;  刘宝林;  陈伯军;  刘式墉
Adobe PDF(134Kb)  |  Favorite  |    Submit date:2015/04/27
量子阱  MOCVD生长  InAlAs  结构材料  光荧光谱  集成光电子学  低温光荧光  外延层  摩尔流量  缓冲层  
LP─MOCVD生长InGaAs_GaAs应变超晶格 期刊论文
兰州大学学报(自然科学版), 1994, 期号: 3, 页码: 2
Authors:  崔敬忠;  陈光华;  张仿清;  甘润今;  杨树人;  刘宝林;  陈伯军;  刘式墉
Adobe PDF(119Kb)  |  Favorite  |    Submit date:2015/04/27
InGaAs/GaAs  应变超晶格  MOCVD生长  结构参数  卫星峰  X射线  摇摆曲线  生长条件  光电子  能带结构  
纳米晶Ge颗粒镶嵌SiO↓2复合膜的多峰光致发光及其机理 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 417-423
Authors:  许怀哲;  朱美芳;  侯伯元;  陈光华;  马智训;  陈培毅;  Xu, Huazizhe
Adobe PDF(395Kb)  |  Favorite  |    Submit date:2015/04/27
复合膜  纳米晶  可见光致发光  纳米锗  光致发光谱  X射线光电子能谱(XPS)  复合薄膜  量子尺寸效应  可见发光  中国科学技术大学  Nanocrystals  Semiconducting composite film  
掺杂(硼和磷)a-Si_(1-x)C_x_H膜中氢含量的测量 期刊论文
半导体学报, 1986, 卷号: 7, 期号: 5, 页码: 539-542
Authors:  陈光华;  张仿清;  徐希翔;  清水立生;  Chen, Guanghua
Adobe PDF(203Kb)  |  Favorite  |    Submit date:2015/04/27
氢含量  H膜  吸收峰值  计算机  硅太阳电池  转换效率  a-Si  自旋密度  非晶硅  窗口材料  HYDROGEN BONDING  
用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究 期刊论文
半导体学报, 1983, 卷号: 4, 期号: 2, 页码: 149-153
Authors:  陈光华;  张仿清;  杜宁;  徐希翔;  黄士生;  刘智;  Chen Guanghua
Adobe PDF(313Kb)  |  Favorite  |    Submit date:2015/04/27
辉光放电法  光电性能  乙烯  光学带隙  太阳能电池  硅烷  衬底温度  吸收谱  光电导特性  含碳量  
制备参数和退火对a-C:H膜光学性质的影响 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 6
Authors:  陈光华;  卢阳华;  Chen, Guanghua
Adobe PDF(314Kb)  |  Favorite  |    Submit date:2015/04/27
光学带隙  光学性质  制备参数  吸收系数  衬底温度  射频偏压  退火温度  反应室  氢含量  H膜  Preparation parameters